חיפוש חדש  חזור
מידע אישי לתלמיד

שנה"ל תש"ף

  קריסטלוגרפיה בקרני X
  X-Ray Crystallography  
0581-5131
הנדסה | תואר שני - מדע והנדסת חומרים
קבוצה 01
סמ'  א'1600-1900118 ולפסון הנדסהשיעור ד"ר גורפמן סמיון
דרישות קדם   בחינה   רשימת התפוצה  
הקורס מועבר באנגלית
ש"ס:  3.0

סילבוס מקוצר

 

עקרונות גיאומטריים: מבנה מחזורי של גבישים, סריג הופכי, יסודות סימטריה קריסטלוגרפית. עקרונות פיזיקליים: פיזור קרני X על ידי אלקטרונים, פיזור ממערכת מחזורית של יחידות מבנה, גורם המבנה של עוצמת הדיפרקציה, גורם המבנה ופונקצית הצפיפות האלקטרונית, בעיית הפאזה בקריסטלוגרפיה. שיטות ניסיוניות. מקורות: שפופרת קרני X מעבדתית, פריצת דרך: קרינת סינכרוטרון. שיטות דיפרקציה: שיטת Laue, שיטות דיפרקציה מגביש יחיד, שיטות דיפרקציה מאבקות, דיפרקציה מסיבים ושכבות דקות של פולימרים מסודרים למחצה. גלאי קרינת דיפרקציה: לוח צלום, לוח הדמיה (Imaging Plate), גלאי מצב מוצק (CCD). קריסטלוגרפיה מבנית. סימטריה בקריסטלוגרפיה: סימטריה נקודתית ומרחבית של גבישים, סימטריה בתבנית העקיפה. קביעת הסימטריה: התחלקות העוצמות, העדרויות שיטתיות, שיטות סטטיסטיות. קביעת המבנה הגבישי והמולקולרי/אטומי: שיטות המרחב הוקטורי (שיטות Patterson), שיטות ישירות. עימות המודל עם הנתונים הניסיוניים: שיטות הריבועים המינימליים בקריסטלוגרפיה.

להצהרת הנגישות


אוניברסיטת ת 1