חיפוש חדש  חזור
מידע אישי לתלמיד

שנה"ל תש"ף

  התקני מיקרוגל אקטיביים
  Active Microwave Devices  
0512-4803-01
הנדסה | תואר ראשון - חשמל ואלקטרוניקה
סמ'  ב'1300-1600008 הנדסה כתות חשיעור ות פרופ גרבי אליהו
ש"ס:  3.0

סילבוס מקוצר
 שעות:  3
משקל:   3
דרישות קדם:  תמסורת גלים ומערכות מפולגות; התקנים אלקטרוניים
הקורס עוסק בהתקני מיקרוגל אקטיביים בגישה הנדסית המקשרת בין עקרונות הפעולה של ההתקנים השונים לבין יישומיהם במערכות מיקרוגל. כל התקן נלמד החל מרמת המבנה ועקרון הפעולה, דרך מודלים פשוטים לתיאור ההתקן, ועד לשיקולי התכנון בשילובו במעגלי מיקרוגל טיפוסיים, כדלקמן:
1.       התקנים דו-הדקיים (דיודות) ושימושיהם בתחום המיקרוגלים:
1.1.    גלאים (detectors) למיקרוגל, דיודותSchottky , קיבול הצומת.
1.2.    ערבלים (mixers) המבוססים על דיודות, עקרונות מקלט Heterodyne.
1.3.    דיודת קיבול משתנה (Varactor), מתנד מבוקר מתח (VCO).
1.4.    דיודות PIN ושימושיהן לניחות מבוקר, אפנון ומיתוג.
1.5.    תופעת ההתנגדות השלילית, התקני TED(Transferred Electron Devices), התקני Gunn, דיודות IMPATT, מתנדים דיודיים.
1.6.    עקרונות הגברה פרמרטרית, יחסי Manley-Rowe, מכפלי תדר.
2.       התקנים תלת-הדקיים (טרנזיסטורים) לתחום המיקרוגלים:
2.1.    טרנזיסטורי BJT, HBT, MESFET, HEMT, LDMOS.
2.2.    מגברי מיקרוגל טרנזיסטוריים – מעגלי DC, נקודת עבודה, ניתוח לאות קטן.
2.3.    ניתוח לאות גדול, תחום דינמי, הרמוניות ואינטרמודולציות במגברים.
2.4.    שיקולי תיאום, יציבות, ורעש בתכנון מגברים.
2.5.    טרנזיסטורי הספק ומגברי הספק.
2.6.    מגברים דלי רחש (LNA).
2.7.    שימושי טרנזיסטורים לגילוי וערבול בתדרי מיקרוגל.
3.       שפופרות מיקרוגלים:
3.1.    אינטראקציה של מיקרוגלים ופלסמה.
3.2.    שפופרות גל נע (Traveling Wave Tubes, TWT's) ושימושיהן.
3.3.    התקני גל מהיר – Gyrotron, Ubitron ודומיהם.
3.4.    המגנטרון ושימושיו.
4.       טכנולוגיות:
4.1.    התקני מיקרוגל משולבים מונוליטיים (MMIC), שיטות תכנון וייצור.
4.2.    טכנולוגית MEMS  ושימושיה בתחום המיקרוגל.
4.3.    טכנולוגיות Ultra-wideband (UWB) ו- Tera-Hertz ושימושיהן.
4.4.    תוכנות סימולציה למיקרוגלים (HFSS, ADS, וכד')
סילבוס מפורט

הנדסה | תואר ראשון - חשמל ואלקטרוניקה
0512-4803-01 התקני מיקרוגל אקטיביים
Active Microwave Devices
שנה"ל תש"ף | סמ'  ב' | פרופ גרבי אליהו

סילבוס מפורט/דף מידע
מטלות הקורס:
תרגילי בית                                                        (15%)
בוחן בתאריך 7/4/14                                          (15%)
פרויקטון או סקר טכנולוגי והצגתו בכתה                 (15%)
מבחן מסכם                                                      (60%)
                                                             (סה"כ 105%)

להצהרת הנגישות


אוניברסיטת ת