חיפוש חדש  חזור
מידע אישי לתלמיד

שנה"ל תשע"ט

  מבוא להתקנים אלקטרוניים
  Introduction to Electronic Devices  
0512-2509-01
הנדסה | תואר ראשון - חשמל ואלקטרוניקה
סמ'  ב'0800-1000406 ולפסון הנדסהשיעור ד"ר בן כהן אסיה
סמ'  ב'0900-1000130 ולפסון הנדסהשיעור
ד"ר נתן אמיר
ש"ס:  4.0

סילבוס מקוצר

לתלמידי הנדסת מחשבים 

שעות:                4 ש"ס

משקל:               3.5

דרישות קדם:   מעגלים ומערכות לינאריות

 

אטומים וקשרים אטומיים: האטום של הבוהר, הטבלה המחזורית, קשרים יונים וקוולנטיים, קשר מתכתי. שריג גבישי, מבנים גבישיים.

פסי אנרגיה ומאסה אפקטיבית: רמות אנרגיה, פסי אנרגיה. מוליכים למחצה, מבודדים ומתכות. מאסה אפקטיבית.

מוליכים למחצה: פלוגי פרמי-דיראק ומקסוול-בולצמן. מוליך למחצה אינטרינזי - רמת פרמי, צפיפות נושאי מטען. דונורים ואקספטורים, מל"מ אקסטרינזי.

הולכה במוליכים למחצה: סחיפה ודיפוזיה של נושאי מטען, אפקט הול, קשר אינשטיין, גנרציה ורקומבינציה.

צומת P-N: צומת בשיווי משקל: מתח מגע, מטען ושדה באיזור המחסור. צומת בממתח. הזרקה. אופיין דיודה אידאלית. פריצת צומת. קיבול מחסור.

טרנזיסטור ביפולרי: תאור בסיסי. רכיבי זרם, איזור פעולה, חיבור CE ואופיינים. שימוש כמתג ומגבר.

טרנזיסטור אפקט-שדה: תאור בסיסי. קבל MOS בשיווי משקל ותחת ממתח. MOSFET - אופיינים.

התקנים אחרים - גלאים, דיודה פולטת אור. 

Course description

(for Computer Engineering Students)

Credit points: 3.5
Prerequisites: Linear Circuits and Systems .
This course is an introduction to modern physics of semiconductors and semiconductor devices used microelectronics. It consists from several parts. The first part is a theoretical background of a basic knowledge in solid state physics (atomic structure and atomic bonds, Bohr's model, electronic structure of atom; semiconductor crystals Si, Ge, GaAs; free electron model, electron energy band structure, electron and holes). The second part is devoted to fundamentals of semiconductor physics (Fermi statistics, intrinsic and extrinsic semiconductors, P-type and N-type semiconductors, degenerate and non-degenerate semiconductors; carriers drift, diffusion, scattering, electron-hole generation-recombination processes, life time; continuity equation, quasi-Fermi level). The third part considers properties of p-n junction (depletion region, built-in field, junction in equilibrium, forward and reverse bias, I-V characteristics). The fourth part contains basics of semiconductor devices such as MOS capacitor, MOS, MOSFET, CMOS and bi-polar transistors and some applications of these devices.

 

להצהרת הנגישות


אוניברסיטת ת