חיפוש חדש  חזור
מידע אישי לתלמיד

שנה"ל תשע"ו

  התקנים אלקטרוניים
  Electronic Devices  
0512-2508-08
הנדסה | תואר ראשון - חשמל ואלקטרוניקה
סמ'  ב'1100-1300101 הנדסה כתות חתרגיל מר בר-און עופר
ש"ס:  2.0

סילבוס מקוצר
שעות:                6 ש"ס
משקל:               5
דרישות קדם:  מבוא לפיזיקה של מוליכים למחצה
1.  הולכה במוליכים למחצה, ניידות ומוליכות, תלות בריכוז הזהומים ובטמפרטוה. שיטות מדידה של צפיפות נושאי המטען, הניידות והמוליכות. אפקט הול. יצור עודף נושאי מטען על ידי תאורה. פוטו-מוליכות. משוואת הרציפות.
2.   צומת מוליך למחצה בשיווי משקל, מתח מגע, מטען ושדה באיזור המטען המרחבי. צומת עם ממתח, השפעת הממתח על אזור המטען המרחבי, דיודת קיבול משתנה. זרמי דיפוזיה וסחיפה, רמות אנרגיה. הזרקת נושאי מטען מיעוט. פילוג נושאי המטען ומשוואת הדיודה. הזרקה חזקה, התאחדות וייצור באזור המעבר, דיודה צרה, זרמי התאחדות. תהליכי פריצה בדיודה. דיודת מפולת ודיודת זנר. התנהגות דינמית של דיודה בתנאי אות קטן ומיתוג. דיודת מנהרה.
3.   טרנזיסטור ביפולרי - עקרון הפעולה, מעגל תמורה ומשוואת Ebers-Moll, מודל בקרת המטען, מיתוג, פריצות, התנהגות של טרנזיסטורים מעשיים, מגבלת התדר, התנהגות באות קטן, SCR.
4.   מגע מתכת - מל"מ. מבנה MOS. MOSFET ונגזרותיו: מבנה, תכונות והתנהגות באות קטן ומתוג.
5.   מושגים בסיסיים במעגלים משולבים - הטכנולוגיה הפלנרית וחוקי תכנון.
Course description
Credit Points: 5
Prerequisites: Introduction to Semiconductor Physics
Carrier motion in semiconductors, mobility and conductivity, diffusion and drift, Measurement methods for mobility, diffusivity and carrier concentrations. Hall effect. Haynes-Shockley experiment. Generation and recombination of excess carriers. Continuity equations.PN junction in thermal equilibrium: built-in potential, space charge and field in the depletion region. PN junction under bias. Carrier injection and extraction. Minority charge storage. Depletion and diffusion capacitances. Drift and diffusion currents. Ideal long and short PN diode dc characteristic. High injection, non-ideal diode effects, recombination current. Tunneling diode. Junction breakdown (Zener and avalanche). Switching, ac behaviour. Heterojunction. Bipolar junction transistor (BJT) – electrostatic description. Ideal BJT in forward active mode. Minority diffusion currents in narrow vs. wide base. BJT in various configurations, dc current and voltage gains. Ebers-Moll and Gummel-Poon models. Charge control equation. BJT breakdown mechanisms. Switching and small signal behaviour. Non-ideal BJT. Heterojunction bipolar transistor. Metal-semiconductor (MS) junctions. Electrostatic description, Schottky barrier, ohmic characteristic. MS junction under bias. Ideal MOS capacitor. C-V characteristic. MOS field effect transistor (MOSFET). NMOS and PMOS. Basics of transistor action, long channel I-V characteristic, short channel effects. Complementary MOS (CMOS). High electron mobility transistor (HEMT).

להצהרת הנגישות


אוניברסיטת ת