חיפוש חדש  חזור
מידע אישי לתלמיד

שנה"ל תשע"ט

  מיקרוסקופית אלקטרונים חודרים אנליטית
  ATEM for Characterization of Materials                                                               
0581-5233-01
הנדסה | תואר שני - מדע והנדסת חומרים
סמ'  ב'1500-1800118וולפסון - הנדסהשיעור פרופ כהן עמית
ש"ס:  2.0

סילבוס מקוצר

0581-5233-01

מיקרוסקופית אלקטרונים בחדירה TEM  אנליטית לאפיון חומרים
Analytical Transmission Electron Microscopy for Characterization of Materials

 מתודולוגיות אנליטיות במיקרוסקופיה של אלקטרונים חודרים (TEM) ואלקטרונים חודרים סורקים (STEM). שיטות אנליטיות המאפיינות את ההרכב, המבנה, הקישור הכימי, המבנה האלקטרוני, שדות חשמליים ומגנטיים ברזולוציה לטרלית בקנה מידה ננומטרי עד אטומי.

סקירת הדרישות לצורך מדידות S/TEM אנליטיות.

תיאור והשוואה בין שיטות הדמיה ופונקציות מעבר הקונטרסט (contrast transfer function) ב- high-angle annular dark-field STEM ביחס לקונטרסט פאזה (high resolution TEM) בדיון על ההשפעה של תיקון האברציה הספרית של עדשת האובייקטיב.

ספקטרוסקופיה: איבוד אנרגיית אלקטרונים (EELS) ו- ספקטרוסקופיית דיספרסית אנרגיה  של אלקטרונים (EDS). הרקע הפיסיקלי ושיטות מעשיות לעיבוד המידע לצורך חישוב ההרכב, רזולוציה והערכת המבנה האלקטרוני של החומר.

מיקרוסקופית פאזה ברזולוציית ביניים למיפוי שדות חשמליים ומגנטיים: ב :TEM לורנץ והולוגרפית אלקטרונים, ב STEM: קונטרסט פאזה יחסי (DPC)

להצהרת הנגישות


אוניברסיטת ת