 שנה"ל תשע"ה | |||||||||||||||||||||||||
 |
 |
||||||||||||||||||||||||
|
פיזיקה מתקדמת של מוליכים למחצה
Advanced Semiconductor Physics |
0510-6701-01 | ||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| הנדסה | ביה"ס להנדסת חשמל | |||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||
ש"ס: 3.0
סילבוס מקוצר
משקל: 3
דרישות קדם: התקנים אלקטרוניים
שריג הופכי, איזורי ברילואן. תנודות שריג: פונונים. אלקטרוני בלוך, מודל האלקטרון הכמעט חפשי. מסה אפקטיבית, מבנה פסים ואלקטרונים קשורים. תהליכי טרנספורט, משוואת בולצמן וקירוב זמן הרלקסציה. תהליכי ומנגנוני התאחות ומשוואות שוקלי-ריד-הול. תהליכי טרנספורט קוונטיים: מנהור, אקסיטונים, פלסמונים. תהליכים במוליכים למחצה קטני-ממדים.